台灣英飛凌領航SiC技術，電動車充電效能再提升

台灣英飛凌科技震撼發表新一代碳化矽（SiC） MOSFET溝槽式技術，領軍能源轉換效率新紀元！這項創新技術不僅在確保產品品質和可靠性的基礎上，將MOSFET的主要性能指標提升了20％，還讓我們的電能使用更加節能環保。讓我們一塊來看看這項技術的亮點有哪些吧！ 首先，新一代的CoolSiC MOS FET Generation 2（G2）技術，對比於前一代產品，在電動汽車直流快速充電站上的應用，可以實現最高10％的功率損耗減少，同時在不改變外形尺寸的情況下，提升充電功率，這對於電動汽車的續航里程來說，是一大福音。 在再生能源領域，這項技術也能發揮其功效。採用新技術的太陽能逆變器，可以在保持高功率輸出的同時，實現更小的尺寸，進而降低每瓦成本，這對於太陽能產業來說，無疑是一個巨大的進步。 此外，英飛凌不僅在SiC技術發展上不斷進步，還與太陽能系統開發商Worksport合作，利用氮化鎵（GaN）技術降低可攜式發電站的重量和成本。這意味著未來我們的可攜式發電站將變得更加輕巧、實用。 值得一提的是，英飛凌為了提升成長動能，也進行了組織結構的調整。新的組織架構圍繞三個以客戶為中心的業務領域進行，分別是汽車業務、工業與基礎設施業務，以及消費、計算與通訊業務。這個新的組織架構已在全球範圍內施行，並優化了區域布局。 總之，英飛凌這次推出的新一代碳化矽（SiC） MOSFET溝槽式技術，不僅是能源轉換效率的一次革命，更是對低碳化進程的一次重要推動。未來，我們可以期待這項技術帶來更多驚喜和便利。