美光復產影響 DRAM 供應有限

美光地震後先進製程受創 衝擊記憶體產出

403 地震後，TrendForce 調查發現，DRAM 供應商受損程度不同，但整體衝擊不大。其中，台灣美光記憶體已轉進先進製程，主要是 1 alpha 與 1 beta nm，預估對整體產出有較大影響。

其他台灣 DRAM 廠則仍停留在 38、25nm，產出占比較小。整體而言，地震對第二季 DRAM 產出影響預計在 1% 以內。

地震後，DRAM 合約與現貨市場一度停報，目前現貨已大致恢復報價，但合約價仍未全面啟動。

行動記憶體方面，美光與三星暫停報價，SK 海力士則積極搶市。TrendForce 預估第二季行動記憶體合約價季漲幅約 3～8%。

伺服器記憶體方面，美光先進製程受創，預估成交價可能上漲。HBM 部分，美光位於日本廣島的投產和 TSV 產線不受影響。

現貨市場方面，金士頓與威剛等模組廠已重啟報價，但尚未出現漲價。TrendForce 認為，地震對價格推升有限，小漲格局將在幾天內回歸正常。