力晶 40奈米DDR3 2Gb提前量產

力晶(5346)昨(11)日宣布，正式量產40奈米DDR3 2Gb顆粒，加上從瑞晶方面取得的產能，今年首季力晶DDR3 2Gb顆粒將大量交貨，較原訂時程提前一季，在製程順利推進之下，力晶、瑞晶(4932)成為台灣量產40奈米顆粒的第一領先群，下半年全面轉進40奈米世代，並在第4季試投30奈米。力晶董事長黃崇仁表示，雖在去年第4季才導入浸潤式曝光機，但試產40奈米製程技術進展十分順利，由於良率爬升快速，公司已決定大量投片生產40奈米2Gb DRAM，並繼續在本季引進浸潤式曝光機，擴大40奈米產能，逐季增加2Gb DDR3 DRAM出貨，下半年將全面轉進40 奈米世代，並於第4季投入30奈米製程。黃崇仁也表示，從1月起，力晶開始依協議向瑞晶採購2Gb DDR3 D RAM，將可有效滿足主力客戶的2Gb產品需求，力晶的DRAM業務在本季將可加速跨入2Gb主流市場，依供需狀況研判，DRAM市場將在第1季落底，未來景氣可望隨下游需求回升而加溫。在力晶正式跨足40奈米世代之下，台系DRAM廠的製程加速升級，南科、華亞科順利轉進50奈米製程，目前南科投片量每月5萬片，華亞科每月13萬片，生產良率貼近美光的良率。力晶雖然轉進速度較慢，但卻從63奈米跳攻45奈米，遽聞初期良率約70％至80％，經過一段學習曲線之後，力晶才決定大量投片量產，較原訂時間提前1季。根據集邦科技報價，DDR3 1Gb有效測試顆粒價格不到1美元，僅0. 84美元，已經瀕臨材料成本，但是DDR3 2Gb顆粒還有1.62美元，品牌顆粒則還有1.82美元，引導各家DRAM廠競相轉進2Gb產品。