公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I451416專利

2014-09-26 公司:力晶創新投資控股
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

用於NAND快閃記憶體技術領域的寫入方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/09/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$122,100

4.其他應敘明事項:

一種NAND快閃記憶體的寫入方法、可以利用一自我升壓方案來減少在禁止寫入記

憶胞串的通道中之超額的電子,這些電子會引起寫入干擾。在升壓通道之前,可以

施加一負電壓到連接禁止寫入記憶胞串的字元線,來�妍吨W述的減少步驟,並且可

以產生高的寫入防護。另外,一列解碼器可以實現寫入操作,並且一檔案系統以上

述的寫入方案為基礎而實現增進檔案管理的效能。

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