公告本公司取得美國專利局核發US 8741754專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/07/07

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$152,731

4.其他應敘明事項:

本發明提出一種非揮發性記憶體具有穿隧介電層、浮置閘極、控制閘極、閘間介電層、

第一摻雜區與第二摻雜區。穿隧介電層配置於基底上。浮置閘極配置於穿隧介電層上，

且浮置閘極具有凸出部。控制閘極配置於浮置閘極上方，並覆蓋、環繞凸出部。其中，

浮置閘極的凸出部無論從任何方向(例如位元線或字元線方向或位元線及字元線間所夾

任何角度的方向)皆被控制閘極完全包覆、環繞在裡面。閘間介電層配置於浮置閘極與

控制閘極之間。第一摻雜區與第二摻雜區分別配置於控制閘極二側的基底中。