公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞及陣列

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/09

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$63,399

4.其他應敘明事項:

一種具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞，包括半導體柱、汲極層、輔助

閘極、控制閘極、源極層、電容器。半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。汲

極層設置於半導體柱底部。輔助閘極隔著第一閘介電層而設置於汲極層附近。控

制閘極隔著第二閘介電層而設置於主動區附近。源極層設置於半導體柱頂部。電

容器電性連接源極層。