公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550716專利
2016-09-29
公司:力晶創新投資控股
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體元件的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 48,600
4.其他應敘明事項:
一種半導體元件的製造方法,包括下列步驟。提供基底,基底包括隔離區和元件
區。對基底進行全面性預非晶化處理以形成非晶化區,其中非晶化區的深度全面
性地深於隔離區及元件區的至少一者的深度,且非晶化區涵蓋隔離區及元件區的
至少一者。對非晶化區進行熱處理。
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