公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I542055專利

2016-09-29 公司:力晶創新投資控股


1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

三維記憶體的陣列結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 45,200

4.其他應敘明事項:

一種三維記憶體的陣列結構,包括:堆疊結構,為由介電層與第一導電層交錯堆

疊而成的結構,堆疊結構具有孔洞貫穿堆疊結構的各層,且孔洞於介電層與第一

導電層處分別具有不同的孔徑;第二導電層,設置於堆疊結構中的孔洞;以及資

料儲存層,設置於堆疊結構與第二導電層之間。

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