公告本公司取得美國專利局核發US 9391271專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

電阻式隨機存取記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 169,209

4.其他應敘明事項:

一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置

於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與至少一第一內連線結構。記憶胞垂直相鄰

地設置於介電層中，且各記憶胞包括第一導線、第二導線與可變電阻結構。第二

導線設置於第一導線的一側，且第二導線的上表面高於第一導線的上表面。可變

電阻結構設置於第一導線與第二導線之間。在垂直相鄰的記憶胞中的可變電阻結

構彼此隔離。第一內連線結構連接垂直相鄰的第一導線。