公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559455專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 51,2004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體的製造方法。於基底上依序形成複合層、第一導體層及第一頂蓋層。於基底中形成沿第一方向延伸的多個元件隔離結構，上述元件隔離結構的表面位於第一頂蓋層與基底之間。對第一頂蓋層、第一導體層、複合層以及基底進行圖案化，以於基底中形成沿第二方向延伸的多個溝槽，其中第一方向與第二方向交錯。於溝槽中形成絕緣層及第二導體層，其中絕緣層環繞而包覆第二導體層。移除第一頂蓋層，並在暴露出的絕緣層之兩側分別形成第二頂蓋層。以第二頂蓋層為罩幕，圖案化第一導體層以及複合層，以使第一導體層形成為控制閘極。