公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555066專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 57,7004.其他應敘明事項:本發明提出了一種半導體元件的製作方法，其步驟包含：在基底上形成一閘極堆疊結構，其包含一浮動閘、一閘極間介電層、一控制閘、以及一金屬層，在閘極堆疊結構上形成一共形襯層，在襯層上覆蓋一遮罩層，其中遮罩層低於金屬層使得部分襯層裸露而出，以及進行一氮化步驟將裸露的襯層轉化成氮化襯層，使得閘極堆疊結構中至少包含金屬層的部分會為氮化襯層所覆蓋。