公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572016專利
2017-03-31
公司:力晶創新投資控股
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體結構及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,000
4.其他應敘明事項:
一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括基底、多數層複合層以及至少一
複合柱。基底包括第一區以及第二區。複合層位於基底上。各複合層包括至少一
裸露表面以及至少一側壁。裸露表面以及側壁形成至少一階梯結構。複合柱位於
複合層的裸露表面上。
半導體結構及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,000
4.其他應敘明事項:
一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括基底、多數層複合層以及至少一
複合柱。基底包括第一區以及第二區。複合層位於基底上。各複合層包括至少一
裸露表面以及至少一側壁。裸露表面以及側壁形成至少一階梯結構。複合柱位於
複合層的裸露表面上。
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