公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571973專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 44,400

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體的製造方法，包括：在基底上依序形成介電層、第一導體層

以及蝕刻終止層。圖案化蝕刻終止層，以形成開口。於基底上形成填滿開口的第

二導體層。於第二導體層上形成頂蓋層，並圖案化頂蓋層、第二導體層以及蝕刻

終止層，以形成堆疊結構並暴露出第一導體層。於堆疊結構的側壁形成間隙壁，

並於堆疊結構一側的第一導體層上形成圖案化的罩幕層。移除間隙壁後，以圖案

化的頂蓋層與圖案化的罩幕層為罩幕，移除部分第一導體層而形成選擇閘極與浮

置閘極。間隙壁可用來定義選擇閘極與浮置閘極的間距。