公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I566294專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

快閃記憶體的製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/11

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 49,200

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種快閃記憶體的製作方法，特別採用等向性蝕刻的方式移除介電

層，製作方法包含首先提供一鰭狀結構，鰭狀結構包含一浮置閘極材料層、一

氧化層和一半導體層，一絕緣層設置於鰭狀結構之兩側，然後形成一介電層順

應地覆蓋浮置閘極材料層以及絕緣層，之後形成一圖案化第一遮罩層、一圖案

化第二遮罩層、一控制閘極由上至下依序堆疊於介電層上，並且控制閘極橫跨

至少一個鰭狀結構，接著進行至少一次的一第一等向性蝕刻步驟，以浮置閘極

材料層和絕緣層作為蝕刻停止層，等向性移除曝露的介電層，直至介電層被完

全移除。