公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572014專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,200

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體，包括基底、堆疊結構、二個通道結構及二層電荷儲存層。

堆疊結構設置於基底上，且包括多層第一導體層、多層介電層及二層第二導體層。

介電層與第一導體層交替地堆疊。第二導體層分離設置於介電層中最上方的一者

上。通道結構設置於堆疊結構兩側的基底上。電荷儲存層設置於堆疊結構與通道

結構之間。