公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572074專利
2017-03-31
公司:力晶創新投資控股
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,200
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體,包括電阻式隨機存取記憶胞串。電阻式隨機存取記憶
胞串包括基底、第一導電型導體層與多個堆疊結構。第一導電型導體層設置於基底
上。堆疊結構分離設置於第一導電型導體層上。各個堆疊結構包括第二導電型沉積
層、電阻式隨機存取記憶胞與第一導線。第二導電型沉積層設置於第一導電型導體
層上。電阻式隨機存取記憶胞設置於第二導電型沉積層上。第一導線設置於電阻式
隨機存取記憶胞上。
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,200
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體,包括電阻式隨機存取記憶胞串。電阻式隨機存取記憶
胞串包括基底、第一導電型導體層與多個堆疊結構。第一導電型導體層設置於基底
上。堆疊結構分離設置於第一導電型導體層上。各個堆疊結構包括第二導電型沉積
層、電阻式隨機存取記憶胞與第一導線。第二導電型沉積層設置於第一導電型導體
層上。電阻式隨機存取記憶胞設置於第二導電型沉積層上。第一導線設置於電阻式
隨機存取記憶胞上。
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