公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585951專利

2017-06-30 公司:力晶創新投資控股
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

記憶體結構

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 54,600

4.其他應敘明事項:

一種記憶體結構,包括基底、選擇閘極結構、第一重摻雜區、第二重摻雜區及浮

置接觸窗。選擇閘極結構設置於基底上。第一重摻雜區與第二重摻雜區分別設置

於選擇閘極結構一側與另一側的基底中。浮置接觸窗設置於第一重摻雜區與選擇

閘極結構之間的基底上,且與基底相互隔離。

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