公告本公司取得日本專利局核發JP 6360610專利

2018-09-28 公司:力晶創新投資控股
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

靜態隨機存取記憶體裝置、其冗餘電路及半導體裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/29

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 179,174

4.其他應敘明事項:

一種用於SRAM裝置的冗餘電路,SRAM裝置包括多個輸入輸出記憶體單元。冗餘電路

包括:多個一對第1電晶體及第2電晶體,各連接於電源電壓與各輸入輸出記憶體單

元的電源端子之間,第1電晶體及第2電晶體彼此並聯地連接,第1電晶體具有較第2

電晶體大的互導;以及冗餘控制電路,於將第1電晶體關斷且使第2電晶體導通時對

各輸入輸出記憶體單元的電源端子的電壓進行檢測,當電源端子的電壓自規定的基

準電壓降低了規定值以上時,將輸入輸出記憶體單元判定為不良狀態,且將不良狀

態的輸入輸出記憶體單元冗餘置換為正常的輸入輸出記憶體單元。

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